Mosfet Models for Spice Simulation: Including Bsim3v3 and Bsim4

Beim integrierten Schaltkreisdesign spielt die Schaltkreissimulation eine wesentliche Rolle, wobei deren Genauigkeit von der Genauigkeit des verwendeten Transistormodells abhängig ist. BSIM3 (BSIM steht für Berkley Short-channel IGFET Model) wurde als erstes MOSFET Modell zur Standardisierung ausgewählt. Es wird erwartet, da in den kommenden Jahren viele Halbleiterunternehmen zu BSIM3 wechseln.
Dieses Buch erläutert die technischen Einzelheiten von BSIM 3, warum sich die meisten Unternehmen für dieses Modell entscheiden und wo es eingesetzt werden kann. Eines der fünf Kapitel widmet sich BSIM4, dem Nachfolgemodell von BSIM3.

Author: William Liu
Publisher: Wiley-IEEE Press
Published: 02/21/2001
Pages: 600
Binding Type: Hardcover
Weight: 2.19lbs
Size: 9.63h x 6.33w x 1.59d
ISBN: 9780471396970

About the Author
WILLIAM LIU, PhD, is a senior member of the technical staff at Texas Instruments, where he has worked since obtaining his PhD in electrical engineering from Stanford University in 1991. Dr. Liu has been TI's lead contact in mentoring the development of BSIM4 model equations with UC Berkeley, and has been in charge of the modeling development for LDMOS/DEMOS and RF-CMOS in TI's SPICE Modeling Laboratory. Dr. Liu has authored/coauthored five book chapters, and has written more than fifty journal papers on modeling, device characterization, and fabrication. Dr. Liu has also published two books on III-V device technologies. Dr. Liu holds sixteen U.S. patents and is a senior member of IEEE.