Fundamentals of III-V Devices: Hbts, Mesfets, and Hfets/Hemts

HBT-Transistoren, die sich durch Schnelligkeit und geringen Stromverbrauch auszeichnen, sind herk mmlichen bipolaren Silicium-Transistoren weit berlegen. Sie eignen sich ideal f r drahtlose Kommunikation und Mobiltelephonie und werden daher gegenw rtig intensiv erforscht. Diese Einf hrung ist so verst ndlich formuliert, da der Leser keinerlei Vorkenntnisse der Bauelementephysik ben tigt. Geboten wird auch neues Material zu Feldeffekttransistoren. (04/99)


Author: William Liu
Publisher: Wiley-Interscience
Published: 04/07/1999
Pages: 520
Binding Type: Hardcover
Weight: 1.85lbs
Size: 9.66h x 6.46w x 1.20d
ISBN: 9780471297000

About the Author
WILLIAM LIU is a senior member of the technical staff at Texas Instruments, where he has worked since obtaining his PhD in electrical engineering from Stanford University in 1991. Dr. Liu has published numerous papers, reviews, and chapter contributions on HBTs. He holds thirteen U.S. patents on device and circuit design in various HBT technologies. He is a senior member of the IEEE.

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